[发明专利]一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，提供衬底，衬底上形成有介质材料的覆盖层，覆盖层中形成有连线层，覆盖层上形成有待刻蚀层，待刻蚀层包括粘合层，在粘合层上形成曝光图案化膜层，曝光图案化膜层中形成有第一刻蚀孔图形，以曝光图案化膜层为掩蔽，在待刻蚀层中形成盲孔，对曝光图案化膜层进行修整，以扩大第一刻蚀孔图形而形成第二刻蚀孔图形，以修整后的曝光图案化膜层为掩蔽，进行待刻蚀层的第二刻蚀，以形成键合孔，并在键合孔中形成键合垫。也就是说，只需要进行一次光刻工艺，就可以通过刻蚀形成键合孔，相比于现有技术中的通过两块掩模版进行两次光刻工艺而言，减少光刻工艺的次数，降低了制造成本。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有介质材料的覆盖层，所述覆盖层中形成有连线层，所述覆盖层上还形成有待刻蚀层，所述待刻蚀层包括粘合层；在所述待刻蚀层上形成曝光图案化膜层并进行光刻工艺，以在所述曝光图案化膜层中形成第一刻蚀孔图形；以所述曝光图案化膜层为掩蔽，进行所述待刻蚀层的第一刻蚀，以在所述待刻蚀层中形成盲孔；进行所述曝光图案化膜层的修整，以扩大所述第一刻蚀孔图形而形成第二刻蚀孔图形；以修整后的所述曝光图案化膜层为掩蔽，进行所述待刻蚀层的第二刻蚀，以形成键合孔，所述键合孔包括利用所述盲孔形成的贯通至所述连线层的底部过孔，以及在所述第二刻蚀孔图形下、所述底部过孔上的部分厚度的待刻蚀层中形成的上部过孔；在所述键合孔中形成键合垫。