[发明专利]硅羟基磁珠及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201910647522.3 | 申请日： | 2019-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN110304662A | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 侯立威;王鹏;吴志能;胡三元;张军;夏振宇;周政 | 申请（专利权）人： | 东莞东阳光科研发有限公司 |
| 主分类号： | C01G49/08 | 分类号： | C01G49/08;H01F1/01;H01F41/00;C23C16/455;C23C16/40;B82Y30/00;B82Y40/00;C12N15/10 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 董李欣 |
| 地址： | 523871 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅羟基磁珠的制备方法，包括以下步骤：将三氯化铁、柠檬酸三钠、醋酸钠以及多元醇混合均匀得到混合溶液，采用溶剂热法制备得到的Fe3O4纳米粒子；采用原子层沉积法在所述Fe3O4纳米粒子的表面包覆SiO2膜，即得硅羟基磁珠。采用原子层沉积法(简称ALD)在溶剂热法制备得到的Fe3O4纳米粒子上包覆SiO2膜，以单原子膜形式一层一层的镀在Fe3O4纳米粒子的表面，该方法层积的SiO2膜在Fe3O4纳米粒子的表面和缺陷处均能匀速长大，包覆完成后表面的SiO2膜为一个整体，SiO2对Fe3O4的包裹致密性好，且不易脱落，因此能够避免磁珠表面包覆缺陷的产生。此外通过调整沉积条件和循环次数可精准控制SiO2膜的厚度，工艺简单，可标准化操作，无需繁琐操作，误差小，避免了磁珠的后期筛选，从而实现了提高产品质量以及磁珠批次稳定性的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米粒子 磁珠 硅羟基 包覆 原子层沉积法 溶剂热 制备方法和应用 柠檬酸三钠 批次稳定性 表面包覆 沉积条件 磁珠表面 单原子膜 混合溶液 精准控制 三氯化铁 致密性好 醋酸钠 多元醇 后表面 缺陷处 层积 制备 标准化 筛选 | ||
【主权项】：
1.一种硅羟基磁珠的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将三氯化铁、柠檬酸三钠、醋酸钠以及多元醇混合均匀得到混合溶液，采用溶剂热法制备得到Fe3O4纳米粒子；采用原子层沉积法在所述Fe3O4纳米粒子的表面包覆SiO2膜，即得硅羟基磁珠。
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