[发明专利]一种湿法刻蚀设备及湿法刻蚀方法有效
申请号: | 201910647531.2 | 申请日: | 2019-07-17 |
公开(公告)号: | CN110364421B | 公开(公告)日: | 2022-02-25 |
发明(设计)人: | 褚海波 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种湿法刻蚀设备及湿法刻蚀方法,属于半导体制造领域,方法包括:将一晶圆竖直的送入刻蚀液,并经过一预定制程时间后,将所述晶圆竖直送出所述刻蚀液;其中,于所述晶圆完全进入所述刻蚀液后,使所述晶圆以所述晶圆的中心为轴旋转一预定角度;装置包括:传送装置、转动装置、第一控制装置、第二控制装置。上述技术方案的有益效果是:晶圆的上下部分互换,当制程时间结束以后,传送装置传送晶圆离开刻蚀液容器时,晶圆表面先浸入刻蚀溶液的下半部分先于后浸入刻蚀溶液的上半部分结束刻蚀制程,使得上下半部蚀刻量互补,有效改善了晶圆表面蚀刻的均匀度,减少了报废的风险。 | ||
搜索关键词: | 一种 湿法 刻蚀 设备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种湿法刻蚀设备,其特征在于,包括:传送装置,用以竖直的传送晶圆进入一刻蚀液容器,以及竖直的传送所述晶圆离开所述刻蚀液容器;转动装置,固定设置于所述传送装置上,用以驱动所述晶圆以所述晶圆中心为轴旋转;第一控制装置,分别连接所述传送装置和所述转动装置,用以于所述传送装置将所述晶圆送入所述刻蚀液容器达到预定行程时启动所述转动装置;第二控制装置,连接所述转动装置,用以控制所述转动装置于所述晶圆以所述晶圆中心为轴旋转一预定角度后停止。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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