[发明专利]二类超晶格雪崩光电探测器及其制作方法

摘要

本公开提供一种二类超晶格雪崩光电探测器及其制备方法，包括：衬底；缓冲层，位于所述衬底上；N型欧姆接触层，位于所述缓冲层上，为N型InAs/GaSb超晶格；雪崩倍增层，覆于部分所述欧姆接触层之上，未被覆盖的欧姆接触层形成一台面；光吸收层，位于所述雪崩倍增层上，为InAs/GaSb超晶格，用于探测红外光；P型欧姆接触层，位于所述光吸收层上；钝化层，覆于所述台面的部分上表面并开设有第一电极窗口，同时覆盖所述P型欧姆接触层上表面边缘处，并开设有第二电极窗口；以及还覆于所述雪崩倍增层、光吸收层、P型欧姆接触层的侧面；P电极，位于所述第二电极窗口内，居中裸露P型欧姆接触层区域作为通光孔；以及N电极，位于所述台面上的第一电极窗口内。

主权项

1.一种二类超晶格雪崩光电探测器，包括：衬底(1)，制备材料包括GaSb；缓冲层(2)，位于所述衬底上，制备材料包括不掺杂的GaSb；N型欧姆接触层(3)，位于所述缓冲层上，制备材料包括N型InAs/GaSb超晶格；雪崩倍增层(4)，覆于部分所述欧姆接触层(3)之上，未被覆盖的欧姆接触层(3)形成一台面；光吸收层(5)，位于所述雪崩倍增层(4)上，制备材料包括InAs/GaSb超晶格，用于探测红外光；P型欧姆接触层(6)，位于所述光吸收层(5)上；钝化层(7)，覆于所述台面的部分上表面并开设有第一电极窗口，同时覆盖所述P型欧姆接触层(6)上表面边缘处，并开设有第二电极窗口；以及还覆于所述雪崩倍增层(4)、光吸收层、P型欧姆接触层(6)的侧面；P电极(8)，位于所述第二电极窗口内，居中裸露P型欧姆接触层(6)区域作为通光孔(7a)；以及N电极(9)，位于所述台面上的第一电极窗口内。