[发明专利]包括场效应晶体管的半导体器件在审
| 申请号： | 201910649082.5 | 申请日： | 2019-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN110739352A | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 金珍永;益冈有里 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底，包括第一阱区；设置在衬底上的栅电极；设置在衬底和栅电极之间的半导体图案；设置在衬底上且在栅电极的相对两侧的多个源极/漏极图案；杂质层，设置在衬底中且在半导体图案与第一阱区之间；以及阻挡层，设置在衬底中且在半导体图案与杂质层之间。阻挡层包括氧。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体图案 栅电极 半导体器件 杂质层 阻挡层 阱区 源极/漏极 相对两侧 图案 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n包括第一阱区的衬底；/n栅电极，设置在所述衬底上；/n半导体图案，设置在所述衬底和所述栅电极之间；/n多个源极/漏极图案，设置在所述衬底上且在所述栅电极的相反两侧；/n杂质层，设置在所述衬底中且在所述半导体图案和所述第一阱区之间；和/n阻挡层，设置在所述衬底中且在所述半导体图案和所述杂质层之间，/n其中所述阻挡层包括氧。/n
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