[发明专利]高电子迁移率晶体管及其形成方法在审
| 申请号： | 201910649098.6 | 申请日： | 2019-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN112242443A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 李国兴;盛义忠;薛胜元;康智凯;黄冠凯;吴建良 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其形成方法，其中该高电子迁移率晶体管，包含一载流子传输层、一载流子供应层、一主栅极、一控制栅极、一源极电极以及一漏极电极。载流子传输层位于一基底上。载流子供应层位于载流子传输层上。主栅极以及控制栅极位于载流子供应层上。源极电极以及漏极电极位于主栅极以及控制栅极的相对两侧，其中源极电极以一金属内连线结构电连接控制栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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