[发明专利]基于列数据分割的低功耗可重构SRAM结构及数据存取方法有效

专利信息
申请号: 201910649227.1 申请日: 2019-07-18
公开(公告)号: CN112242162B 公开(公告)日: 2023-06-20
发明(设计)人: 许晗;乔飞;李子儒;杨华中 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: G11C11/413 分类号: G11C11/413;G11C7/10;G11C8/10
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 苗晓静
地址: 100084 北京市海*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种基于列数据分割的低功耗可重构SRAM结构及数据存取方法,所述数据存取方法包括:提取每一个数据段的数据特征,并根据每一个数据段的数据特征配置对应的标志位,其中,数据存储阵列中的每一列数据被划分为多段形成多个数据段;根据每一个数据段的标志位,配置每一个数据段的工作模式;按照对应的工作模式从数据存储阵列中读取数据。本发明在不改变数据存储阵列每列数据中数据单元数量的条件下,对数据进行更细粒度的特征统计,将一列中的数据划分为多个段,对每一数据段进行数据特征的读取,并且分别配置每个段的工作模式,按照对应的工作模式读取数据,降低了整个数据存储阵列中数据读取的功耗。
搜索关键词: 基于 数据 分割 功耗 可重构 sram 结构 存取 方法
【主权项】:
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