[发明专利]图像传感器及其制作方法

摘要

本申请涉及半导体器件的制造领域，具体地涉及一种图像传感器及其制作方法。所述图像传感器包括：半导体衬底；第一掺杂层，所述第一掺杂层位于所述半导体衬底上；第一离子注入区域，位于所述第一掺杂层内，其中，所述第一离子注入区域的注入离子与所述第一掺杂层的掺杂离子的导电类型相反。所述第一掺杂层包围所述第一离子注入区域，可以在所述第一离子注入区域的底部形成PN结，增大了所述第一掺杂层与所述第一离子注入区域形成的PN结的面积，增大了耗尽层的面积，在有入射光进入所述耗尽层时，能产生更多的光生载流子，增强了光电二极管的光电转换能力，增强了图像传感器的光电转换能力。

主权项

1.一种图像传感器，其特征在于，包括：第一掺杂层；第一离子注入区域，位于所述第一掺杂层内，其中，所述第一离子注入区域的注入离子与所述第一掺杂层的掺杂离子的导电类型相反；外延层，位于所述第一掺杂层表面；第二离子注入区域，所述第二离子注入区域位于所述外延层内，并延伸至所述第一离子注入区域；掺杂隔离结构，所述掺杂隔离结构位于所述第二离子注入区域两侧并贯穿所述第一掺杂层，其中，所述掺杂隔离结构的掺杂离子与所述第二离子注入区域的注入离子的导电类型相反。