[发明专利]双极型晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201910649263.8 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN110459470A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 梅本康成;小屋茂树;黑川敦 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/737;H01L29/08 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 舒艳君;王秀辉<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及双极型晶体管及其制造方法。同时实现双极型晶体管的集电极电阻的降低和基极‑集电极间电容的降低。双极型晶体管(100)具备将集电极层(3)、基极层(4)以及发射极层(5)依次层叠于子集电极层(2)的构造。在子集电极层(2)形成有集电极电极(9)。在基极层(4)形成有基极电极(10)。集电极层(3)具备配置为从子集电极层侧朝向基极层侧杂质浓度减少的多个杂质层(31、32、33、34)。杂质层(31)是多个杂质层(31、32、33、34)中杂质浓度最大的杂质层，并且与子集电极层(2)接触。杂质层(31)的薄膜电阻是子集电极层(2)的薄膜电阻的9倍以下。 | ||
| 搜索关键词： | 子集电极层 杂质层 双极型晶体管 基极层 薄膜电阻 集电极层 集电极电极 集电极电阻 发射极层 基极电极 浓度减少 依次层叠 集电极 电容 配置 制造 | ||
【主权项】：
1.一种双极型晶体管，具备：/n子集电极层，其是具有第一面和该第一面的背面亦即第二面的子集电极层，且具有形成于所述第一面的集电极电极；/n基极层，其是具有第三面和该第三面的背面亦即第四面的基极层，且具有形成于所述第三面的基极电极；/n集电极层，其是具有与所述第四面接触的第五面和与所述第一面接触且是所述第五面的背面的第六面，该集电极层具备配置为从所述第六面朝向所述第五面杂质浓度减少的多个杂质层；以及/n发射极层，其形成于所述第三面，/n所述多个杂质层包含所述多个杂质层中杂质浓度最大且与所述第一面接触的第一杂质层，/n所述第一杂质层的厚度是所述子集电极层的厚度的1/9倍以上10倍以下。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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