[发明专利]一种四分之二匝线圈型纵磁触头结构及应用的真空灭弧室

摘要

一种四分之二匝线圈型纵磁触头结构及应用的真空灭弧室，该触头结构包括相对放置的静触头和动触头，静触头包括静导电杆、静侧2/4匝纵磁线圈、静支撑座和静触头片；静侧2/4匝纵磁线圈布置于静导电杆底部，为双层结构，具有四条并联支路，支路末端与静触头片焊接，静触头片上开有4条直线槽以减小涡流，静触头片背面布置有静支撑座；动触头与静触头结构相同，触头片相对布置；本发明结构应用于真空灭弧室，与现有触头结构相比可在保证一定磁场强度的条件下大幅减小触头系统的电阻，提高灭弧室的额定通流能力。

主权项

1.一种四分之二匝线圈型纵磁触头结构，包括相对放置的静触头(1)和动触头(2)，静触头(1)包括静导电杆(3‑1)、静侧2/4匝纵磁线圈(4‑1)、静支撑座(5‑1)和静触头片(6‑1)；静侧2/4匝纵磁线圈(4‑1)布置于静导电杆(3‑1)底部，为中空双层结构，具有四条并联支路，每条并联支路均在双层结构的上下两层中各绕过预设长度，每条并联支路末端与静触头片(6‑1)焊接，静触头片(6‑1)背面布置有静支撑座(5‑1)，静支撑座(5‑1)位于静侧2/4匝纵磁线圈(4‑1)的中空腔体内；动触头(1)与静触头(2)的结构除动侧2/4匝纵磁线圈(4‑2)和静侧2/4匝纵磁线圈(4‑1)的每条并联支路在双层结构的上下两层中旋向相反外，其它结构均相同，包括动导电杆(3‑2)、动侧2/4匝纵磁线圈(4‑2)、动支撑座(5‑2)和动触头片(6‑2)，动触头片(6‑2)与静触头片(6‑1)相对布置；燃弧过程中，电流由静导电杆(3‑1)流入，由静导电杆(3‑1)末端流入静侧2/4匝纵磁线圈(4‑1)的中部，再经由四条并联支路流入静触头片(6‑1)，并经过电弧等离子体流入动触头(2)，由动触头片(6‑2)留入动侧2/4匝纵磁线圈(4‑2)，经四条并联支路汇集在动侧2/4匝纵磁线圈(4‑2)中部，最终由动导电杆(3‑2)流出，电流流经静侧2/4匝纵磁线圈(4‑1)和动侧2/4匝纵磁线圈(4‑2)时会感应出相应的纵向磁场。