[发明专利]一种铜铟镓硫二维纳米结构阵列及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201910651571.4 申请日: 2019-07-18
公开(公告)号: CN110364422B 公开(公告)日: 2021-05-18
发明(设计)人: 李立强;贾廷见;曹译恒 申请(专利权)人: 商丘师范学院
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L31/18;B82Y20/00;B82Y40/00
代理公司: 郑州中鼎万策专利代理事务所(普通合伙) 41179 代理人: 林新园
地址: 476000 *** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明公开了一种铜铟镓硫二维纳米结构阵列及其制备方法和应用,所述二维纳米结构阵列由在FTO玻璃衬底上生长的规则排列的半导体纳米片团簇构成。本发明是在FTO玻璃衬底上,通过水热法直接生长CuxS纳米片团簇,然后在其上SILAR铟镓硫,再进行退火,使沉积的铟镓硫部分进入到CuxS晶格中,得到铜铟镓硫二维纳米结构阵列。其中,SILAR法能够通过控制沉积循环数来调节沉积薄膜的厚度,同时该方法继承了原子层沉积的优点,可实现薄膜在复杂基底的均匀沉积。本发明制备的二维纳米结构阵列排列有序,周期性好,光吸收性能优良,可用于高效率大面积太阳能电池的制备。
搜索关键词: 一种 铜铟镓硫 二维 纳米 结构 阵列 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
1.一种铜铟镓硫二维纳米结构阵列,其特征在于,由在FTO玻璃衬底上生长的规则排列的半导体纳米片团簇构成。
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