[发明专利]一种铜铟镓硫二维纳米结构阵列及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201910651571.4 | 申请日： | 2019-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN110364422B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 李立强;贾廷见;曹译恒 | 申请（专利权）人： | 商丘师范学院 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/18;B82Y20/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 郑州中鼎万策专利代理事务所(普通合伙) 41179 | 代理人： | 林新园 |
| 地址： | 476000 *** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开了一种铜铟镓硫二维纳米结构阵列及其制备方法和应用，所述二维纳米结构阵列由在FTO玻璃衬底上生长的规则排列的半导体纳米片团簇构成。本发明是在FTO玻璃衬底上，通过水热法直接生长Cu |
||
| 搜索关键词： | 一种 铜铟镓硫 二维 纳米 结构 阵列 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种铜铟镓硫二维纳米结构阵列，其特征在于，由在FTO玻璃衬底上生长的规则排列的半导体纳米片团簇构成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于商丘师范学院，未经商丘师范学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910651571.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种湿法刻蚀设备及湿法刻蚀方法
- 下一篇：一种COB显示模块固晶方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
