[发明专利]一种芯片结构、晶圆结构及其制造方法有效
申请号: | 201910651652.4 | 申请日: | 2019-07-18 |
公开(公告)号: | CN110379799B | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
发明(设计)人: | 易洪昇;叶国梁;王嘉绮 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065;H01L23/528;H01L21/98;H01L21/762 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 党丽 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供一种芯片结构、晶圆结构及制造方法,第一芯片和第二芯片之间通过介质材料的键合层实现键合,并从键合后的芯片背面通过通孔将其中的顶层连线层引出,该通孔为键合用通孔,该通孔周围覆盖有键合层,第三芯片的顶层连线层通过键合垫引出,该键合垫形成于键合层中,将通孔与键合垫对准键合,从而实现这芯片的键合,并从第三芯片的背面通过引出衬垫将其中的顶层连线层引出。该堆叠结构中,第一和第二芯片键合后通过通孔引出,进而通过与第三芯片上的键合垫对准键合,并从第三芯片背面将第三芯片的连线层引出,实现堆叠式芯片的互连结构,该互连结构简单且长度短,有效提升器件传输效率,提高器件的性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 芯片 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种芯片结构,其特征在于,包括:第一芯片和第二芯片,所述第一芯片的正面和所述第二芯片的正面分别覆盖有介质材料的第一键合层和第二键合层,且所述第一键合层键合至所述第二键合层;覆盖所述第二芯片背面的介质材料的第三键合层;从所述第三键合层分别贯穿至所述第一芯片中第一顶层连线层和贯穿至所述第二芯片中第二顶层连线层的键合通孔;第三芯片,所述第三芯片包括第三顶层连线层、位于所述第三顶层连线层上且覆盖所述第三芯片正面的介质材料的第四键合层、贯穿所述第四键合层且与所述第三顶层连线层连接的键合垫,所述第三键合层与所述第四键合层键合且所述键合通孔与所述键合垫键合;从所述第三芯片的背面贯穿至所述第三顶层连线层的引出衬垫。
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