[发明专利]具有不规则设计结构双转换增益晶体管的图像传感器有效
| 申请号： | 201910652764.1 | 申请日： | 2019-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN110534534B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 王欣;徐辰;石文杰;赵春 | 申请（专利权）人： | 思特威（上海）电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区自*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种具有不规则设计结构双转换增益晶体管的图像传感器，所述图像传感器的双转换增益控制单元包括双转换增益晶体管和电容，所述双转换增益晶体管具有不规则设计结构，其漏极有源区向多方向延伸，形成有源区连接电容；并且可通过在所述双转换增益晶体管的漏极有源区上设置一栅极结构，形成MOS电容，以进一步改善有源区连接电容。本发明提供的技术方案，通过改进像素单元中双转换增益晶体管设计结构布局以提高双转换增益控制单元的电容值，从而提高像素电路在高增益模式或低增益模式下转移存储的电荷量，改善图像传感器的转换增益，提升图像传感器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 不规则 设计 结构 转换 增益 晶体管 图像传感器 | ||
【主权项】：
1.一种具有不规则设计结构双转换增益晶体管的图像传感器，其包括设置于半导体基底上的由多个像素单元按行和列排列设置构成的二维像素阵列，其特征在于，每个所述像素单元包括：/n双转换增益控制单元，其包括双转换增益晶体管及电容；/n所述双转换增益晶体管具有不规则设计结构，其栅极以一倾斜角度布局设置于所述像素单元的角部位置，所述双转换增益晶体管的漏极有源区向多方向延伸，形成有源区连接电容。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于思特威（上海）电子科技股份有限公司，未经思特威（上海）电子科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910652764.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：显示面板
- 下一篇：防止水汽扩散的布线层及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
