[发明专利]晶圆分离方法在审
| 申请号： | 201910653078.6 | 申请日： | 2019-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN110379771A | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 王鹤龙;王国杰 | 申请（专利权）人： | 苏州长瑞光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人： | 杨楠 |
| 地址： | 215024 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆分离方法，用于按照设置于晶圆电路层的切割道将晶圆分离为多个独立的芯片，所述切割道包含金属层和/或low‑k层；所述晶圆分离方法包括：首先在所述晶圆电路层的表面粘附一层透明的保护膜；然后使用机械切割方法按照所述切割道将晶圆分离为多个独立的芯片。本发明通过简单的在晶圆电路层的表面粘附一层透明的保护膜的方式，有效防止了机械切割过程中切割道内金属层翘起、崩角和/或low‑k层剥离、裂缝等问题，从而可实现全机械切割的晶圆分离方案，在保证生产质量的同时有效降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 切割道 电路层 表面粘附 机械切割 保护膜 透明的 芯片 内金属层 金属层 全机械 翘起 种晶 生产成本 裂缝 切割 剥离 保证 生产 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆分离方法，用于按照设置于晶圆电路层的切割道将晶圆分离为多个独立的芯片，所述切割道包含金属层和/或low‑k层；其特征在于，所述晶圆分离方法包括：首先在所述晶圆电路层的表面粘附一层透明的保护膜；然后使用机械切割方法按照所述切割道将晶圆分离为多个独立的芯片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州长瑞光电有限公司，未经苏州长瑞光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910653078.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
