[发明专利]一种硅烷交联型半导电可剥离外屏蔽料及其生产工艺在审
| 申请号： | 201910654269.4 | 申请日： | 2019-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN110305398A | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 曾泽华;陈静;毛梦颖;王射林 | 申请（专利权）人： | 远东电缆有限公司;新远东电缆有限公司;远东复合技术有限公司 |
| 主分类号： | C08L23/08 | 分类号： | C08L23/08;C08L23/30;C08L83/04;C08L9/02;C08L23/06;C08L91/00;C08K13/02;C08K5/098;C08K5/134;C08K5/526;C08K3/04;H01B3/44 |
| 代理公司： | 常州易瑞智新专利代理事务所(普通合伙) 32338 | 代理人： | 徐琳淞 |
| 地址： | 214257 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅烷交联型半导电可剥离外屏蔽料及其生产工艺，所述硅烷交联型半导电可剥离外屏蔽料的原料组成由质量比7～10:1的高导电A料和催化B料混合挤出后经温水交联而成。本发明的硅烷交联型半导电可剥离外屏蔽料采用高导电A料中直接乙烯‑乙烯基硅烷共聚物，实现了没有硅烷接枝反应，不产生焦料，无需停机清理，且制备温度在140℃以内，可以连续运转，生产效率提高，性价比高，同时添加了可剥离剂，使外屏蔽料形成屏蔽层时更容易剥离，方便接线时剥离端口屏蔽料。 | ||
| 搜索关键词： | 可剥离 外屏蔽 硅烷交联 半导电 高导电 生产工艺 剥离 乙烯基硅烷共聚物 端口屏蔽 硅烷接枝 连续运转 生产效率 原料组成 屏蔽层 质量比 温水 交联 接线 停机 制备 催化 乙烯 挤出 | ||
【主权项】：
1.一种硅烷交联型半导电可剥离外屏蔽料，其特征在于：所述硅烷交联型半导电内屏蔽料的原料组成由质量比7～10:1的高导电A料和催化B料混合挤出后经温水交联而成；其中，所述高导电A料组成，按重量份为：乙烯‑醋酸乙烯共聚物51～80份，乙烯‑乙烯基硅烷共聚物20～40份，高导电炭黑40～80份，剥离剂5～10份，分散剂1～5份，润滑剂5～15份，抗氧剂0.2～2份；所述催化B料组成，按重量份为：乙烯‑醋酸乙烯共聚物100份；催化剂0.5～5份，抗氧剂0.5～2份。
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