[发明专利]一种低功耗高速度电流比较器电路

摘要

一种低功耗高速度电流比较器电路，采用两个阈值电压不同的NMOS管即第一低阈值NMOS管和第一NMOS管作为比较器的输入对管，输入电流流进第一低阈值NMOS的源极电阻，当输入电流达到门限值时，使第一NMOS管NM1打开从而将第一NMOS管NM1的漏极拉低，比较器产生的比较信号VOUT1翻转，其中输入电流的门限值通过输入对管的阈值电压之差和修调电阻确定；本发明将输入电流的电压转换、参考电平的产生和信号比较在一个组合结构中实现，从而节省了功耗，并且实现了随温度零漂移。另外为了进一步提高速度，还设置了辅助钳位模块，利用钳位效应将比较器的输出电压钳位在一个比电源低的电压使得比较器的翻转速度加快。

主权项

1.一种低功耗高速度电流比较器电路，其特征在于，包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一低阈值NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第一低阈值PMOS管、第二低阈值PMOS管、第一电流源、第一修调电阻和第二修调电阻，其中第一低阈值NMOS管是耗尽型晶体管；第一低阈值NMOS管的源极作为所述电流比较器电路的输入端并通过第一修调电阻后接地，其栅极连接第一NMOS管的栅极和第四NMOS管的源极并通过第一电流源后接地，其漏极连接第二NMOS管的源极和第四NMOS管的栅极；第一NMOS管的漏极连接第三NMOS管的源极，其源极通过第二修调电阻后接地；第一PMOS管的栅极连接第二PMOS管、第一低阈值PMOS管和第二低阈值PMOS管的栅极并连接偏置电压，其源极连接第二PMOS管的源极和第四NMOS管的漏极并连接电源电压，其漏极连接第一低阈值PMOS管的源极；第二NMOS管的栅漏短接并连接第三NMOS管的栅极和第一低阈值PMOS管的漏极；第二低阈值PMOS管的源极连接第二PMOS管的漏极，其漏极连接第三NMOS管的漏极并输出比较信号。