[发明专利]刻蚀装置、刻蚀系统及刻蚀方法在审
| 申请号： | 201910655162.1 | 申请日： | 2019-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN110491803A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 白靖宇 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司： | 44202 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例公开了一种刻蚀装置，包括：刻蚀腔体；承载板，其位于刻蚀腔体内，承载板上用于放置晶圆；喷头，其位于所述承载板的上方，所述喷头用于向所述晶圆喷出刻蚀液；多个加热装置，其安装在所述承载板上，且用于给晶圆加热；其中，每个加热装置独立加热以用于改变每个加热装置上方的刻蚀液的刻蚀速率。本申请实施例还公开了一种刻蚀系统和刻蚀方法。 | ||
| 搜索关键词： | 承载板 晶圆 喷头 加热装置 刻蚀液 刻蚀 多个加热装置 独立加热 刻蚀腔体 刻蚀系统 刻蚀装置 刻蚀腔 喷出 加热 申请 体内 | ||
【主权项】：
1.一种刻蚀装置，其特征在于，包括：/n刻蚀腔体；/n承载板，其位于刻蚀腔体内，承载板上用于放置晶圆且承载板带动晶圆一起旋转；/n喷头，其位于所述承载板的上方，所述喷头用于向所述晶圆喷出刻蚀液；/n多个加热装置，其安装在所述承载板上，且用于给晶圆加热；/n其中，每个加热装置独立加热以用于改变每个加热装置上方的刻蚀液的刻蚀速率。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
