[发明专利]一种高稳定性温度传感器敏感芯片的制作方法

摘要

本发明涉及温度测量技术领域，具体为一种高稳定性温度传感器敏感芯片的制作方法，包括以下步骤：铂浆制作步骤，将铂粉、玻璃粉与有机载体进行混合、研磨，配置成铂浆料；厚膜铂膜制作步骤，利用铂浆料在陶瓷基板上印刷铂膜，将印刷的铂膜进行烧结，烧结后在陶瓷基板上形成呈蜂窝结构的厚膜铂层；薄膜溅射镀膜步骤，将铂材料制作成铂靶，在氩氮气氛中向厚膜铂层溅射，获得在陶瓷基板上形成由厚膜铂层和薄膜铂层构成相互嵌套的复合铂膜；电路制作步骤，对复合铂膜进行光刻和刻蚀，将刻蚀完的复合铂膜进行烧结，烧结后获得在陶瓷基板上形成物理性能稳定的复合铂膜感温电路。采用本方案获得一种高稳定性、高可靠性的膜式温度传感器芯片。

主权项

1.一种高稳定性温度传感器敏感芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：铂浆制作步骤，将铂粉、玻璃粉与有机载体按质量比7:1:2进行混合、研磨，配置成铂浆料；厚膜铂膜制作步骤，利用铂浆制作步骤中配置的铂浆料在陶瓷基板上印刷铂膜，将印刷的铂膜进行烧结，烧结温度为1150‑1280℃，保温时间为50‑80分钟，烧结后在陶瓷基板上形成呈网状结构的厚膜铂层；薄膜溅射镀膜步骤，将铂材料制作成铂靶，在真空及氩氮气氛中向厚膜铂层溅射铂离子，获得在陶瓷基板上形成由厚膜铂层和薄膜铂层构成相互嵌套的复合铂膜；电路制作步骤，在薄膜溅射镀膜步骤中制得的复合铂膜上涂覆光刻胶，并用预先准备的光刻模板进行曝光、显影处理，再对光刻完的复合铂膜进行刻蚀，将刻蚀完的复合铂膜进行烧结，烧结温度为1150‑1280℃，保温时间为60‑120分钟，烧结后获得在陶瓷基板上形成由复合铂膜构成的感温电路，经过激光调阻，制得温度传感器敏感芯片。