[发明专利]一种氮化镓或氮化铝纳米孔的制备方法

摘要

本发明提供一种氮化镓或氮化铝纳米孔的制备方法，包括以下步骤：在蓝宝石衬底上依次进行（1）GaN或AlN薄膜层的生长；（2）SiO2薄膜层的沉积；（3）Ni薄膜层的沉积并进行Ni薄膜层的退火处理，在Ni薄膜层的退火过程中，Ni薄膜自组装形成离散Ni颗粒；（4）SiO2薄膜层的刻蚀：以步骤（3）自组装形成的Ni颗粒为掩膜，刻蚀SiO2薄膜层，直至刻蚀面抵达GaN或AlN薄膜层；（5）Ni颗粒的腐蚀：腐蚀去除Ni颗粒后，GaN或AlN薄膜层上留下SiO2纳米柱；（6）GaN或AlN薄膜层的继续生长：GaN或AlN薄膜层继续外延生长且GaN或AlN薄膜层继续生长后的高度不高于SiO2纳米柱的高度；（7）SiO2纳米柱的腐蚀：腐蚀除去SiO2纳米柱，即得GaN或AlN纳米孔。本发明形成的纳米孔的界面要好，缺陷少。