[发明专利]功率晶体管控制信号门控有效
| 申请号： | 201910656496.0 | 申请日： | 2019-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN110739950B | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | S·夏尔马;T·普尔巴里奇;V·希诺瓦;D·M·金策 | 申请（专利权）人： | 纳维达斯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687;H02M1/08;H02M3/156 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 爱尔兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及功率晶体管控制信号门控。公开了一种半桥电路。所述电路包含根据一或多个控制信号选择性地导电的低侧电源开关和高侧电源开关。所述电路还包含经配置以控制所述低侧电源开关的导电状态的低侧电源开关驱动器和经配置以控制所述高侧电源开关的导电状态的高侧电源开关驱动器。所述电路还包含：控制器，其经配置以产生所述一或多个控制信号；高侧回转检测电路，其经配置以在所述开关节点处的电压增大时防止所述高侧电源开关驱动器致使所述高侧电源开关导电；以及低侧回转检测电路，其经配置以在所述开关节点处的电压减小时防止所述低侧电源开关驱动器致使所述低侧电源开关导电。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 晶体管 控制 信号 门控 | ||
【主权项】：
1.一种半桥GaN电路，其包括：/n开关节点；/n低侧电源开关，其连接到所述开关节点且经配置以根据一或多个控制信号选择性地导电；/n高侧电源开关，其连接到所述开关节点且经配置以根据所述一或多个控制信号选择性地导电；/n低侧电源开关驱动器，其经配置以基于所述控制信号中的一或多个控制所述低侧电源开关的导电状态；/n高侧电源开关驱动器，其经配置以基于所述控制信号中的一或多个控制所述高侧电源开关的导电状态；/n控制器，其经配置以产生所述一或多个控制信号；以及/n高侧回转检测电路，其经配置以在所述开关节点处的电压增大时防止所述高侧电源开关驱动器致使所述高侧电源开关导电，/n其中所述高侧回转检测电路包括：/n电容器，其连接到所述高侧电源开关的漏极以及感测节点；/n箝位电路，其连接到所述感测节点以及所述高侧电源开关的源极，且经配置以防止所述感测节点处的电压变得小于最小电压和变得大于最大电压；/n偏置电路，其连接到所述感测节点；以及/n输出电路，其具有连接到所述感测节点的输入端子，其中所述输出电路经配置以基于所述感测节点处的所述电压和所述高侧电源开关的所述源极处的电压产生高侧回转端信号，/n其中所述电容器和所述偏置电路经配置以在对应的所述感测节点处产生所述电压，而无论所述高侧电源开关的所述漏极处的电压与所述高侧电源开关的所述源极处的所述电压之间的电压差是否减小，且/n其中所述偏置电路经配置以将所述感测节点偏置到致使所述输出电路产生所述高侧回转端信号的电压，所述高侧回转端信号指示所述高侧电源开关的所述漏极处的所述电压与所述高侧电源开关的所述源极处的所述电压之间的所述差不减小。/n
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