[发明专利]一种TOPCon结构电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种TOPCon结构电池的制备方法，在去除多晶硅绕镀的步骤之前，保留硅片正面BSG；在去除多晶硅绕镀的步骤中，通过配入了添加剂的碱溶液去除硅片正面的多晶硅；所述添加剂，其各组分的质量百分含量为：2%～5%的单硬脂酸甘油酯，1%～2.5%的二甘醇，1%～2.5%的月桂酸钠，1%～2%的β‑环糊精，余量为去离子水；所述碱溶液为KOH溶液或NaOH溶液。本发明通过配入了添加剂的碱溶液去除多晶硅绕镀，可保护BSG免受碱溶液腐蚀，进而使得碱无法腐蚀到扩磷处与扩硼处。本发明工艺窗口较宽、效率更稳定，可提高扩散产能，槽式机、链式机均可应用，便于产线使用现有机台实现量产。

主权项

1.一种TOPCon结构电池的制备方法，包括去除多晶硅绕镀的步骤，其特征在于：在去除多晶硅绕镀的步骤之前，保留硅片正面BSG；在去除多晶硅绕镀的步骤中，通过配入了添加剂的碱溶液去除硅片正面的多晶硅；所述添加剂，其各组分的质量百分含量为：2%～5%的单硬脂酸甘油酯，1%～2.5%的二甘醇，1%～2.5%的月桂酸钠，1%～2%的β‑环糊精，余量为去离子水；所述碱溶液为KOH溶液或NaOH溶液。