[发明专利]一种制备大面积硒化锑薄膜的设备及其方法和应用有效
申请号: | 201910657354.6 | 申请日: | 2019-07-19 |
公开(公告)号: | CN110444619B | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | 李志强;郭春升;梁晓杨;刘涛 | 申请(专利权)人: | 河北大学 |
主分类号: | H01L31/0328 | 分类号: | H01L31/0328;H01L31/0392;H01L31/18 |
代理公司: | 石家庄国域专利商标事务所有限公司 13112 | 代理人: | 苏艳肃 |
地址: | 071002 河北*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明提供了一种制备大面积硒化锑薄膜的设备及其方法和应用,所述设备是在沉积设备的沉积室内水平固定有圆筒,所述圆筒的一侧与氩气供气管相连通,圆筒的另一侧开有水平方向延伸的长条孔,在圆筒内同轴设有用于盛装硒化锑颗粒的圆筒形的网漏,所述网漏的一端连有转轴并可在圆筒内旋转;在与所述长条孔相对的位置设有样品台,所述样品台与升降杆相连并可随升降杆匀速上下移动,在样品台与长条孔相对的台面上设有衬底,在样品台与圆筒之间设有挡板。本发明通过调控衬底上下运动次数、衬底与源的温度以及通入高纯氩气的气体流量,制备得到了结晶状态和成膜均匀性好,缺陷密度较小的大面积硒化锑薄膜,其设备及工艺简单,有利于推广与应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 大面积 硒化锑 薄膜 设备 及其 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.一种制备大面积硒化锑薄膜的设备,其特征是,在沉积设备的沉积室内水平固定有圆筒,所述圆筒的一侧与氩气供气管相连通,圆筒的另一侧开有水平方向延伸的长条孔,在圆筒内同轴设有用于盛装硒化锑颗粒的圆筒形的网漏,所述网漏的一端连有转轴并可在圆筒内旋转;在与所述长条孔相对的位置设有样品台,所述样品台与升降杆相连并可随升降杆匀速上下移动,在样品台与长条孔相对的台面上设有衬底,在样品台与圆筒之间设有挡板,所述挡板的顶端与沉积室顶面相连,所述挡板的底端沿与长条孔的上沿处于同一高度。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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