[发明专利]渐变叠层TCO导电膜的异质结电池结构及其制备方法

摘要

本发明涉及的一种渐变叠层TCO导电膜的异质结电池结构及其制备方法，它包括硅衬底，所述硅衬底的双面均设有非晶硅本征层，所述非晶硅本征层的外侧设有非晶硅掺杂层；所述硅衬底受光面的非晶硅掺杂层的外侧设有叠层TCO导电膜，所述硅衬底非受光面的非晶硅掺杂层的外侧设有单层TCO导电膜；所述叠层TCO导电膜和单层TCO导电膜的外侧均设有若干Ag电极；所述叠层TCO导电膜包括依次向外设置的多层TCO导电膜，每一层的靶材功率密度逐层增加，靠近非晶硅掺杂层的第一层靶位TCO导电膜不通氧气，其他每一层的O₂/功率逐层增加。本发明低高能粒子对非晶硅薄膜的撞击损伤，能够获得最优的TCO光学、电学性能，提升异质结太阳能电池性能。

主权项

1.一种渐变叠层TCO导电膜的异质结电池结构，它包括硅衬底（1），所述硅衬底（1）的双面均设有非晶硅本征层（2），所述非晶硅本征层（2）的外侧设有非晶硅掺杂层（3）；其特征在于：所述硅衬底（1）受光面的非晶硅掺杂层（3）的外侧设有叠层TCO导电膜（4），所述硅衬底（1）非受光面的非晶硅掺杂层（3）的外侧设有单层TCO导电膜（5）；所述叠层TCO导电膜（4）和单层TCO导电膜（5）的外侧均设有若干Ag电极（6）；所述叠层TCO导电膜（4）包括依次向外设置的多层TCO导电膜，每一层的靶材功率密度逐层增加，靠近非晶硅掺杂层（3）的第一层靶位TCO导电膜不通氧气，其他每一层的O₂/功率逐层增加。