[发明专利]X射线检测器、半导体存储器件及其测试方法和制造方法在审
| 申请号： | 201910658595.2 | 申请日： | 2019-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN110967726A | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 金知雄;金璥炖 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G01T1/24 | 分类号： | G01T1/24;G11C29/56 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 杨姗 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体存储器件包括第一数据输入/输出(I/O)焊盘、X射线检测器和第二数据I/O焊盘。第一数据I/O焊盘接收测试信号。X射线检测器连接到第一数据I/O焊盘，X射线检测器包括双极结型晶体管(BJT)，在BJT中在输入端和输出端之间的电压随着针对半导体存储器件的累积X射线剂量而变化，并且X射线检测器基于测试信号生成指示BJT的输入端和输出端之间的电压的测试结果信号。第二数据I/O焊盘连接到X射线检测器并输出测试结果信号。 | ||
| 搜索关键词： | 射线 检测器 半导体 存储 器件 及其 测试 方法 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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