[发明专利]一种Ni@Ni3S2@NiCo2O4微、纳米电极材料及其制备方法和应用在审
申请号: | 201910659692.3 | 申请日: | 2019-07-22 |
公开(公告)号: | CN110400700A | 公开(公告)日: | 2019-11-01 |
发明(设计)人: | 杨萍;丰丽娜;凌文钦;石建军;朱立;聂志豪;章文凯 | 申请(专利权)人: | 安徽理工大学 |
主分类号: | H01G11/24 | 分类号: | H01G11/24;H01G11/30;H01G11/46;H01G11/84;H01G11/86 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 230031 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种以泡沫镍为基质,通过负载Ni3S2纳米片和NiCo2O4构建的Ni@Ni3S2@NiCo2O4微、纳米复合材料,本发明所述的Ni@Ni3S2@NiCo2O4微、纳米电极材料应用在超级电容器中,具有优良的导电性、高电容和高功率密度等性能。本发明还提供了所述微、纳米复合材料的制备方法,包括以下步骤:(1)泡沫镍的处理;(2)Ni@Ni3S2纳米片的制备;(3)Ni@Ni3S2@NiCo2O4微、纳米材料的制备;本发明还提供了上述微、纳米复合材料的应用。 | ||
搜索关键词: | 纳米复合材料 制备 纳米电极材料 纳米片 泡沫镍 制备方法和应用 导电性 超级电容器 纳米材料 高电容 高功率 构建 基质 应用 | ||
【主权项】:
1.一种Ni@Ni3S2@NiCo2O4微、纳米复合材料,通过简单和低成本的水热法和热处理工艺在泡沫镍上原位生长Ni3S2纳米片阵列。然后电化学沉积法将NiCo2O4沉积在Ni@Ni3S2纳米片骨架上,形成Ni@Ni3S2@NiCo2O4微、纳米复合材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽理工大学,未经安徽理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910659692.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。