[发明专利]制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201910659838.4 | 申请日： | 2019-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN110783191B | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 河阪俊行;川田春雄 | 申请（专利权）人： | 住友电工光电子器件创新株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造半导体器件的方法，包括：在包括衬底和在衬底上的氮化物半导体层的衬底产品的表面上形成包含Al的金属膜，该金属膜覆盖通孔形成预定区域，并且衬底产品的表面位于氮化物半导体层侧；形成蚀刻掩模，该蚀刻掩模具有用于暴露在衬底产品的背表面上的通孔形成预定区域的开口，衬底产品的背表面位于衬底侧；以及通过反应离子蚀刻在衬底产品中形成通孔，通孔从背表面到达表面并暴露金属膜。在形成通孔时，在至少包括蚀刻终止的时段期间使用含氟的反应气体。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：/n在包括衬底和在所述衬底上的氮化物半导体层的衬底产品的表面上形成含Al的金属膜，所述金属膜覆盖通孔形成预定区域，并且所述衬底产品的所述表面位于所述氮化物半导体层侧；/n形成蚀刻掩模，所述蚀刻掩模具有用于暴露在所述衬底产品的背表面上的所述通孔形成预定区域的开口，所述衬底产品的所述背表面位于所述衬底侧；以及/n通过反应离子蚀刻在所述衬底产品中形成通孔，所述通孔从所述背表面到达所述表面并且暴露所述金属膜，/n其中，在形成所述通孔时，在至少包括蚀刻终止的时段期间使用含氟的反应气体。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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