[发明专利]一种芯片结构及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201910660911.X 申请日: 2019-07-22
公开(公告)号: CN110335925A 公开(公告)日: 2019-10-15
发明(设计)人: 李祈昕;燕英强;曾昭烩;胡川;刘晓燕;陈志涛;赵维;何晨光 申请(专利权)人: 广东省半导体产业技术研究院
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/02;H01L33/54;H01L33/62;H01L33/64
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 刘亚飞
地址: 510000 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请提出了一种芯片结构及其制作方法,涉及半导体领域。该芯片结构包括发光层,其中,发光层的一侧设置有P电极层与N电极层,以及位于发光层一侧的封装层,其中,封装层设置有多个通孔,每个通孔连通至P电极层或N电极层,且每个通孔内均填充有散热导电介质,散热导电介质与P电极层或N电极层连接。本申请提供的芯片结构及其制作方法具有散热能力更好,热阻更低的效果。
搜索关键词: 芯片结构 发光层 通孔 导电介质 封装层 散热 制作 半导体领域 散热能力 热阻 填充 连通 申请
【主权项】:
1.一种芯片结构,其特征在于,所述芯片结构包括:发光层,其中,所述发光层的一侧设置有P电极层与N电极层;位于所述发光层一侧的封装层,其中,所述封装层设置有多个通孔,每个所述通孔连通至所述P电极层或N电极层,且每个所述通孔内均填充有散热导电介质,所述散热导电介质与所述P电极层或N电极层连接。
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