[发明专利]一种MEMS结构在审
| 申请号： | 201910661030.X | 申请日： | 2019-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN112279213A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 刘端 | 申请（专利权）人： | 安徽奥飞声学科技有限公司 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230092 安徽省合肥市高新区习友路333*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种MEMS(微机电系统)结构，包括：衬底，具有贯穿的空腔；第一电极层，形成在所述衬底的正面上方并且覆盖所述空腔，其中，所述第一电极层的材料包括单层或多层二维材料；第一压电层，形成在所述第一电极层上方；第二电极层，形成在所述第一压电层上方。与传统的通过先形成振膜和压电单元而后湿法或干法蚀刻形成背面空腔的方法相比，本申请可以采用激光穿孔或是其他方式先在衬底上形成空腔，从而降低了制造成本，而且降低了传统的背面蚀刻给MEMS结构造成的损伤或性能退化的几率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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