[发明专利]封装结构的形成方法在审
| 申请号： | 201910661033.3 | 申请日： | 2019-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN110783207A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 茅一超;张进传;卢思维 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L25/07 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 提供封装结构及其形成方法。方法包含在承载基底上设置第一半导体晶粒，以及形成第一保护层以环绕第一半导体晶粒。方法也包含在第一保护层和第一半导体晶粒上形成介电层。方法还包含将介电层图案化以形成开口，此开口部分地暴露出第一半导体晶粒和第一保护层。此外，方法包含在形成前述的开口之后，将第二半导体晶粒接合至第一半导体晶粒。方法包含形成第二保护层以环绕第二半导体晶粒。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体晶粒 第一保护层 开口 介电层 环绕 第二保护层 封装结构 接合 图案化 基底 承载 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种封装结构的形成方法，包括：/n在一承载基底上设置一第一半导体晶粒；/n形成一第一保护层以环绕该第一半导体晶粒；/n在该第一保护层和该第一半导体晶粒上形成一介电层；/n将该介电层图案化以形成一开口，该开口部分地暴露出该第一半导体晶粒和该第一保护层；/n在形成该开口之后，将一第二半导体晶粒接合至该第一半导体晶粒；以及/n形成一第二保护层以环绕该第二半导体晶粒。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
