[发明专利]用于减少的氧化物侵蚀的钨化学机械抛光有效
| 申请号： | 201910661414.1 | 申请日： | 2019-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN110734703B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 路春;史晓波;D·C·塔姆博利;R·M·玛查多;M·L·奥内尔;M·斯腾德 | 申请（专利权）人： | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴亦华;徐志明 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及可用于含钨半导体器件的化学机械平面化(CMP)的浆料、方法和系统。使用具有添加剂以抵消钨抛光副产物导致的pH降低并保持pH4或更高的CMP浆料，可以大大减少密集金属(例如钨)结构的侵蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 减少 氧化物 侵蚀 化学 机械抛光 | ||
【主权项】：
1.一种用于减少氧化物侵蚀的钨化学机械抛光(CMP)抛光组合物，其包含：/n0.001重量％至30重量％的颗粒；/n0.05重量％至10重量％的至少一种氧化剂；/n0.0005重量％至10重量％的激活剂；/n≥0.01重量％的具有至少一个pKa等于或大于4的官能团的侵蚀减少剂；/n和/n水；/n任选地，以下的至少一种：/n0.0001重量％至5重量％的pH调节剂，其选自胺、氢氧化铵、硝酸、磷酸、硫酸、有机酸、其盐，及其组合；/n杀生物剂；/n表面活性剂；/n稳定和钝化剂；/n分散剂；/n螯合剂；/n成膜抗腐蚀剂；/n凹陷减少剂；和/n抛光增强剂；/n其中在向100克的所述抛光组合物中加入0.5克钨后1小时，所述化学机械抛光(CMP)抛光组合物的pH值等于或大于4。/n
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