[发明专利]Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201910661893.7 | 申请日： | 2019-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN112289858A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 宋亮;于国浩;张晓东;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王茹 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件及其制备方法，所述HEMT器件包括衬底、位于衬底上的Ⅲ族氮化物异质结、位于Ⅲ族氮化物异质结上的p型掺杂层、及金属电极，所述Ⅲ族氮化物异质结包括位于衬底上的沟道层及位于沟道层上的势垒层，所述金属电极包括位于位于Ⅲ族氮化物异质结上的源极和漏极、以及位于p型掺杂层上且位于源极和漏极之间的栅极，所述p型掺杂层包括位于栅下区域的p型掺杂区及位于非栅下区域的钝化区。本发明p型掺杂层与Ⅲ族氮化物异质结一次外延而成，有效减小界面态，同时不需要刻蚀工艺，等离子体处理及离子注入工艺易控制，且对工艺要求较为宽松，减小了器件的损伤，具有工艺简单、重复性高、成本低廉、易于进行大规模生产等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 增强 hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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