[发明专利]非对称式差分磁场探头结构有效
申请号: | 201910662299.X | 申请日: | 2019-07-22 |
公开(公告)号: | CN110261798B | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
发明(设计)人: | 李晓春;彭至鹤;毛军发 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | G01R33/06 | 分类号: | G01R33/06 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 庄文莉 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种非对称式差分磁场探头结构,包括:第一探测部:感应外界磁场产生并输出第一电磁信号;第二探测部:感应外界磁场产生并输出第二电磁信号;所述第一探测部与所述第二探测部存在面积差,所述第一电磁信号和所述第二电磁信号组成差分信号。面积差形成的输出信号差为磁场探头提供了高的空间分辨率,同时,利用差分结构进行共模抑制设计,提高了磁场探头的电场抑制比。 | ||
搜索关键词: | 对称 式差分 磁场 探头 结构 | ||
【主权项】:
1.一种非对称式差分磁场探头结构,其特征在于,包括:第一探测部:感应外界磁场产生并输出第一电磁信号;第二探测部:感应外界磁场产生并输出第二电磁信号;所述第一探测部与所述第二探测部存在面积差,所述第一电磁信号和所述第二电磁信号组成差分信号。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学,未经上海交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910662299.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。