[发明专利]一种钇改性SiCf 有效
| 申请号： | 201910663654.5 | 申请日： | 2019-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN110436955B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 刘虎;吕晓旭;齐哲;周怡然;杨金华;焦健;高晔;姜卓钰;艾莹珺 | 申请（专利权）人： | 中国航发北京航空材料研究院 |
| 主分类号： | C04B38/06 | 分类号： | C04B38/06;C04B35/80;C04B35/565;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/634 |
| 代理公司： | 中国航空专利中心 11008 | 代理人： | 仉宇 |
| 地址： | 100095 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种钇改性SiC |
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| 搜索关键词： | 一种 改性 sic base sub | ||
【主权项】：
1.一种钇改性SiCf/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法，包括以下步骤：步骤1、制备含钇料浆将钇粉、粘结剂、造孔剂、助剂和溶剂混合后，再加入研磨球，球磨12～24小时后得到含钇料浆；步骤2、制备含钇碳化硅纤维预浸料将含钇料浆涂覆在碳化硅纤维织物表面，然后在20～25℃下晾置1～12小时，得到纤维预浸料；步骤3、制备含钇成型体铺叠6～20层所述的纤维预浸料，经热压成型后得到含钇成型体；步骤4、制备含钇多孔碳预制体将含钇成型体置于加热炉中进行碳化，加热温度为800～1000℃，碳化时间为0.5～6小时，碳化的气氛为氩气，碳化后得到含钇多孔碳预制体；步骤5、制备钇改性SiCf/SiC陶瓷基复合材料在石墨坩埚的内表面涂覆氮化硼，将硅粉和所述含钇多孔碳预制体置于石墨坩埚内，将石墨坩埚置于真空加热环境，加热温度为1420～1600℃，加热时间为0.5～4小时，真空度为0.1～100Pa，得到钇改性SiCf/SiC陶瓷基复合材料。
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