[发明专利]一种柔性内联式CIGS太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 201910663987.8 | 申请日: | 2019-07-23 |
公开(公告)号: | CN110364579A | 公开(公告)日: | 2019-10-22 |
发明(设计)人: | 陈培专;陈亚栋;李劼;魏昌华;高翔 | 申请(专利权)人: | 绵阳金能移动能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0392;H01L31/042;H01L31/18 |
代理公司: | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人: | 贾晓燕 |
地址: | 621000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种柔性内联式CIGS太阳能电池和制备方法,包括:柔性衬底;背保护层沉积在柔性衬底的下表面;绝缘层,其采用磁控溅射的方法制备在柔性衬底上方;阻挡层采用溅射的方法制备在绝缘层上方;背电极层用溅射的方法制备在阻挡层上方;CIGS吸收层用三步共蒸、溅射硒化方法制备在背电极层上方;缓冲层采用化学水浴工艺制备在CIGS吸收层上方;窗口层用溅射的方法制备在缓冲层上方;前电极层采用溅射的方法制备在窗口层上方;多组刻线,每组刻线包括P1刻线、P2刻线和P3刻线,每组刻线对不同的功能膜层进行刻划,实现了电池内部串联。本发明提高了电池的有效发电面积和电池的效率,产品的质量高、成本低,有利于商业化规模生产。 | ||
搜索关键词: | 制备 刻线 溅射 衬底 绝缘层 背电极层 窗口层 缓冲层 内联式 吸收层 阻挡层 电池 保护层沉积 磁控溅射 电池内部 工艺制备 功能膜层 规模生产 前电极层 化学水 面积和 下表面 刻划 硒化 串联 发电 | ||
【主权项】:
1.一种柔性内联式CIGS太阳能电池,其特征在于,包括:柔性衬底;用以防止硒蒸汽腐蚀衬底的背保护层,其沉积在柔性衬底的下表面;用以保护柔性衬底不受激光损伤的绝缘层,其采用反应磁控溅射的方法制备在衬底上方;阻挡层,其采用直流溅射的方法制备在绝缘层上方;背电极层,其采用直流溅射的方法制备在阻挡层上方;CIGS吸收层,其采用三步共蒸、溅射硒化方法制备在背电极层上方;缓冲层,其采用化学水浴工艺制备在CIGS吸收层上方;窗口层,其采用脉冲直流溅射的方法制备在缓冲层上方;前电极层,其采用脉冲直流溅射的方法制备在窗口层上方;多组刻线,每组刻线包括P1刻线、P2刻线和P3刻线,其中P1刻线采用卷对卷亚纳秒激光下打光方式将阻挡层和背电极层完全刻断,P1刻线一直刻划到绝缘层表面,使第一道刻线P1刻线两侧的子电池完全绝缘,同时对绝缘层不造成损伤;P2刻线采用卷对卷机械刻线将CIGS吸收层、缓冲层两层薄膜完全刻断,P2刻线下端刻划至背电极层上表面,保证P2刻线两侧的子电池通过P2刻线沟槽接触导通,且P2刻线与P1刻线是平行设置;P3刻线采用卷对卷机械刻线将前电极层、窗口层、缓冲层以及CIGS吸收层完全刻划刻断,其下端刻划至背电极层上表面,保证P3刻线两侧的子电池的前电极完全断开,同样的,P3刻线与P1刻线保持平行。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于绵阳金能移动能源有限公司,未经绵阳金能移动能源有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910663987.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的