[发明专利]垂直存储器装置

摘要

公开了一种垂直存储器装置，该垂直存储器装置可以包括基底上的栅电极、合并图案结构和单元接触塞。栅电极可以在与基底正交的第一方向上间隔开，并且可以沿平行于基底的第二方向延伸。合并图案结构可以沿第二方向延伸，同时合并每个水平的栅电极的端部。合并图案结构的边缘可以具有阶梯形状。合并图案结构可以包括电连接到栅电极的垫图案。单元接触塞可以延伸穿过合并图案结构并电连接到垫图案中的一个垫图案。单元接触塞可以与其它栅电极电绝缘。单元接触塞可以接触下面的导电材料。单元接触塞的上表面可以仅接触绝缘材料。