[发明专利]高逆压电系数的钛酸铋钠基无铅压电薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910665900.0 申请日: 2019-07-23
公开(公告)号: CN110473959B 公开(公告)日: 2021-07-20
发明(设计)人: 翟继卫;吴双昊;沈波 申请(专利权)人: 同济大学
主分类号: H01L41/187 分类号: H01L41/187;H01L41/39
代理公司: 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 代理人: 陈亮
地址: 200092 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及高逆压电系数的钛酸铋钠基无铅压电薄膜及其制备方法,该无铅压电薄膜化学组成为(0.94‑x)Bi0.5Na0.5TiO3–0.06BaTiO3–xBiInO3,其中x为摩尔分数,x=0~0.015,且不为0,其制备方法为金属有机物热分解法,即首先配置前驱体溶液,随后将溶液滴至洗净的Pt/TiOx/SiO2/Si基片上进行旋转涂覆,依次在不同温度下进行热处理,重复上述旋转涂覆以及热处理工艺,直至膜厚达到300–500纳米。与现有技术相比,本发明制备的具有高逆压电系数的钛酸铋钠基无铅压电薄膜具有优异的压电性能,其逆压电系数达76.6皮米/伏。
搜索关键词: 压电 系数 钛酸铋钠基无铅 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
1.高逆压电系数的钛酸铋钠基无铅压电薄膜,其特征在于,该无铅压电薄膜化学组成为(0.94-x)Bi0.5Na0.5TiO3–0.06BaTiO3–xBiInO3,其中x为摩尔分数,x=0~0.015,且不为0。/n
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