[发明专利]高逆压电系数的钛酸铋钠基无铅压电薄膜及其制备方法有效
申请号: | 201910665900.0 | 申请日: | 2019-07-23 |
公开(公告)号: | CN110473959B | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 翟继卫;吴双昊;沈波 | 申请(专利权)人: | 同济大学 |
主分类号: | H01L41/187 | 分类号: | H01L41/187;H01L41/39 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人: | 陈亮 |
地址: | 200092 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: |
本发明涉及高逆压电系数的钛酸铋钠基无铅压电薄膜及其制备方法,该无铅压电薄膜化学组成为(0.94‑x)Bi |
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搜索关键词: | 压电 系数 钛酸铋钠基无铅 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.高逆压电系数的钛酸铋钠基无铅压电薄膜,其特征在于,该无铅压电薄膜化学组成为(0.94-x)Bi0.5Na0.5TiO3–0.06BaTiO3–xBiInO3,其中x为摩尔分数,x=0~0.015,且不为0。/n
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