[发明专利]一种Ag掺杂SnSe半导体薄膜及其电化学制备方法有效
| 申请号： | 201910665920.8 | 申请日： | 2019-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN110257872B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 李志林;王峰;曹凯;刘景军;吉静;张正平;窦美玲;宋夜 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | C25D9/04 | 分类号： | C25D9/04;C25D3/02 |
| 代理公司： | 北京五月天专利商标代理有限公司 11294 | 代理人： | 王振华 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种Ag掺杂SnSe半导体薄膜及其电化学制备方法，选择硝酸银，氯化亚锡，亚硒酸钠作为银、锡、硒源，以乙二胺四乙酸二钠作为络合剂，尿素、十二烷基磺酸钠作为添加剂配制电解液，调节镀液pH值为1.5‑5后在室温下进行电沉积得到Ag掺杂SnSe预沉积薄膜，之后将SnSe预沉积薄膜退火，得到Ag掺杂SnSe半导体薄膜。该方法能够制备出无杂相的Ag掺杂SnSe半导体薄膜，薄膜的载流子浓度、迁移率和电导率高，有利于其热电性能的提高。该制备方法可通过电解液成分、沉积工艺和退火方法调控其化学成分和电传输性能，具有可控性强，重复性好的特点，适用于大面积制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ag 掺杂 snse 半导体 薄膜 及其 电化学 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种Ag掺杂SnSe半导体薄膜的电化学制备方法，其特征如下：分别以硝酸银，氯化亚锡，亚硒酸钠作为银、锡、硒源，以乙二胺四乙酸二钠作络合剂配制电解液，调节镀液pH值为1.5‑5后在室温下进行电沉积得到Ag掺杂SnSe预沉积薄膜，最后将SnSe预沉积薄膜在惰性气氛保护下于150‑600℃下退火处理10分钟‑10小时，得到Ag掺杂SnSe半导体薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京化工大学，未经北京化工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910665920.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
