[发明专利]一种准单晶钙钛矿薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201910666066.7 | 申请日： | 2019-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN110534654B | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 杨冠军;楚倩倩;丁斌;李长久;李成新 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L51/48 | 分类号： | H01L51/48;H01L51/42 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 田洲 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种准单晶钙钛矿薄膜的制备方法，包括：步骤1，在基体表面制备得到晶粒尺寸小于或等于300nm的小晶粒钙钛矿ABX3薄膜；步骤2，将含有步骤1制备的小晶粒钙钛矿ABX3薄膜的基体转移到含有AX的饱和气氛的密闭装置中，加热到50‑400℃的温度保温5‑90min；这段保温时间内钙钛矿晶粒在扩散作用下发生快速长大，制备得到准单晶钙钛矿薄膜。本发明将制备的小晶粒钙钛矿薄膜放置在含有AX饱和蒸气压的密闭环境中，使得钙钛矿薄膜在AX的饱和蒸汽中，再溶解结晶成准单晶钙钛矿薄膜，大大减少了缺陷，降低了缺陷密度。而且避免了在制备准晶钙钛矿过程中由于从钙钛矿中逸出的有机阳离子或卤化物阴离子造成的表面和晶界缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 准单晶钙钛矿 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种准单晶钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：/n步骤1，在基体表面制备得到晶粒尺寸小于或等于300nm的小晶粒钙钛矿ABX3薄膜；/n步骤2，将含有步骤1制备的小晶粒钙钛矿ABX3薄膜的基体转移到含有AX的饱和气氛的密闭装置中，加热到50-400℃的温度保温5-90min，制备得到准单晶钙钛矿薄膜。/n
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