[发明专利]三维存储器的制造方法以及三维存储器

摘要

本发明提供一种三维存储器的制造方法，该制造方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构具有衬底、位于所述衬底中的经掺杂的阱区、位于所述阱区上的停止层以及所述停止层上的牺牲层、位于所述牺牲层上的堆叠层以及垂直穿过所述堆叠层的沟道结构，其中所述阱区与所述衬底接触，所述沟道结构到达所述阱区且具有沟道层；形成垂直穿过所述堆叠层而到达所述牺牲层的栅线隙；去除所述牺牲层，露出所述沟道结构在所述牺牲层的部分的侧壁；去除所述沟道结构在所述牺牲层的部分侧壁厚度，露出所述沟道层的一部分，并形成穿过所述停止层到达所述阱区的连接槽；以及在所述连接槽中形成连接层，所述连接层将所述沟道层与所述阱区电性连接。

主权项

1.一种三维存储器的制造方法，该制造方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构具有衬底、位于所述衬底中的经掺杂的阱区、位于所述阱区上的停止层以及所述停止层上的牺牲层、位于所述牺牲层上的堆叠层以及垂直穿过所述堆叠层的沟道结构，其中所述阱区与所述衬底接触，所述沟道结构到达所述阱区且具有沟道层；形成垂直穿过所述堆叠层而到达所述牺牲层的栅线隙；去除所述牺牲层，露出所述沟道结构在所述牺牲层的部分的侧壁；去除所述沟道结构在所述牺牲层的部分侧壁厚度，露出所述沟道层的一部分，并形成穿过所述停止层到达所述阱区的连接槽；以及在所述连接槽中形成连接层，所述连接层将所述沟道层与所述阱区电性连接。