[发明专利]一种单晶衬底的制备方法在审
| 申请号： | 201910667827.0 | 申请日： | 2019-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN110783169A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 姜涛 | 申请（专利权）人： | 乂馆信息科技(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/06;H01L33/00;H01L33/20 |
| 代理公司： | 61230 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 李园园 |
| 地址： | 200080 上海市虹*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单晶衬底的制备方法，包括：制备基底结构；在所述基底结构上生长单晶衬底层；将所述单晶衬底层从所述基底结构上剥离下来得到单晶衬底。本发明通过在基底结构上直接生长单晶衬底层，无需借助任何中间层材料如牺牲层和柔性键合层，能够极大的提高单晶厚膜的结晶质量。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶 基底结构 衬底层 衬底 制备 中间层材料 单晶厚膜 柔性键合 直接生长 牺牲层 剥离 生长 | ||
【主权项】：
1.一种单晶衬底的制备方法，其特征在于，包括：/n制备基底结构；/n在所述基底结构上生长单晶衬底层；/n将所述单晶衬底层从所述基底结构上剥离下来得到单晶衬底。/n
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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