[发明专利]TFT器件及其制备方法、TFT阵列基板在审
| 申请号： | 201910669734.1 | 申请日： | 2019-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN110416314A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 罗传宝 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种TFT器件及其制备方法、TFT阵列基板，本发明中遮光层设置阻挡层，阻挡金属层中铜离子扩散到缓冲层和有源层中，阻挡层中还增设刻蚀阻挡层，防止在缓冲层使用氟系氧化性气体干刻信号过孔时，造成金属层中铜离子被氟系氧化性气体氧化，提高TFT器件性能稳定性，源极通过信号过孔和遮光层电性连接，消除TFT阈值电压漂移。 | ||
| 搜索关键词： | 信号过孔 缓冲层 铜离子 遮光层 阻挡层 氟系 制备 阈值电压漂移 刻蚀阻挡层 性能稳定性 氧化性气体 阻挡金属层 电性连接 氧化性气 金属层 体干 源层 源极 增设 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种TFT器件，其特征在于，包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的遮光层；所述遮光层包括叠层设置在所述衬底基板上的金属层和阻挡层，所述阻挡层用于阻挡所述金属层中铜离子向远离所述衬底基板的方向上扩散到所述TFT器件的有源层中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910669734.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
