[发明专利]半导体器件

摘要

提供了一种半导体器件。该器件包括在衬底上沿第一方向延伸的有源图案，围绕有源图案的侧壁的一部分的场绝缘膜，在有源图案和场绝缘膜上沿第二方向延伸的第一栅结构，与第一栅结构间隔开并在有源图案和场绝缘膜上沿第二方向延伸的第二栅结构，以及第一栅结构与第一栅结构之间的第一器件隔离膜，其中第一栅结构的面向第一器件隔离膜的侧壁包括相对于有源图案的上表面具有锐角的倾斜表面，并且第一器件隔离膜的最下表面低于场绝缘膜的最上表面或与场绝缘膜的最上表面基本上共面。

主权项

1.一种半导体器件，包括：/n衬底；/n有源图案，在所述衬底上沿第一方向延伸；/n场绝缘膜，围绕所述有源图案的侧壁的一部分；/n第一栅结构，在所述有源图案和所述场绝缘膜上沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交；/n第二栅结构，与所述第一栅结构间隔开，并在所述有源图案和所述场绝缘膜上沿第二方向延伸；以及/n第一器件隔离膜，在所述第一栅结构和所述第二栅结构之间，/n其中：/n所述第一栅结构的面向所述第一器件隔离膜的侧壁包括相对于所述有源图案的上表面具有锐角的第一倾斜表面，并且/n所述第一器件隔离膜的最下表面低于所述场绝缘膜的最上表面或与所述场绝缘膜的最上表面基本上共面。/n