[发明专利]第零层层间膜的制造方法

摘要

本发明公开了一种第零层层间膜的制造方法，包括步骤：步骤一、在半导体衬底表面形成第一栅极结构；各第一栅极结构之间的区域为间隔区；形成侧墙和形成由氮化膜组成的接触孔刻蚀停止层；步骤二、生长第零层层间膜；步骤三、进行第一次选择性化学机械研磨对第零层层间膜进行研磨并停止在侧墙的顶部表面的接触孔刻蚀停止层上；步骤四、进行第二次非选择性化学机械研磨对氧化膜和氮化膜同时进行研磨并停止在多晶硅栅的顶部表面的接触孔刻蚀停止层上；步骤五、进行第三次选择性刻蚀将多晶硅栅的顶部表面剩余的接触孔刻蚀停止层去除。本发明能消除第零层层间膜的蝶形缺陷，提高产品良率。

主权项

1.一种第零层层间膜的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成多个由栅介质层和多晶硅栅叠加而成的第一栅极结构；各所述第一栅极结构之间的区域为间隔区；在所述第一栅极结构的侧面形成侧墙，所述侧墙的顶部表面高于所述多晶硅栅的顶部表面；形成由氮化膜组成的接触孔刻蚀停止层，所述接触孔刻蚀停止层覆盖在所述第一栅极结构的顶部的所述多晶硅栅表面、所述侧墙的顶部表面和内外侧面以及所述间隔区的所述半导体衬底表面；步骤二、生长第零层层间膜，所述第零层层间膜为氧化膜，所述第零层层间膜形成在所述接触孔刻蚀停止层的表面，所述第零层层间膜将所述间隔区填充并延伸到所述第一栅极结构的顶部；步骤三、进行第一次选择性化学机械研磨，所述第一次选择性化学机械研磨对氧化膜的研磨速率大于对氮化膜的研磨速率，所述第一次选择性化学机械研磨对所述第零层层间膜进行研磨并停止在所述侧墙的顶部表面的所述接触孔刻蚀停止层上；步骤四、进行第二次非选择性化学机械研磨，所述第二次选择性化学机械研磨对氧化膜和氮化膜同时进行研磨并停止在所述多晶硅栅的顶部表面的所述接触孔刻蚀停止层上；步骤五、进行第三次选择性刻蚀将所述多晶硅栅的顶部表面剩余的所述接触孔刻蚀停止层去除。