[发明专利]磁场感测装置有效
| 申请号： | 201910670429.4 | 申请日： | 2019-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN110837066B | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 袁辅德 | 申请（专利权）人： | 爱盛科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 罗英;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新北市汐止*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁场感测装置，包括至少一漩涡型磁电阻及至少一磁化设定元件。漩涡型磁电阻包括钉扎层、受钉扎层、间隔层及圆形自由层。受钉扎层配置于钉扎层上，间隔层配置于受钉扎层上，而圆形自由层配置于间隔层上，且具有漩涡形磁化方向分布。磁化设定元件交替地通电与不通电，当磁化设定元件不通电时，圆形自由层的漩涡形磁化方向分布随着外在磁场而变化，以达到对外在磁场的感测。当磁化设定元件通电时，磁化设定元件所产生的磁场破坏了圆形自由层的漩涡形磁化方向分布，并使圆形自由层达到磁饱和。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场 装置 | ||
【主权项】：
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