[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置在审
| 申请号： | 201910670570.4 | 申请日： | 2019-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN110783190A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 田端雅弘 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/033;H01L21/28;H01L21/67 |
| 代理公司： | 11322 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够改善局部最小线宽均匀性(LCDU)的技术。等离子体处理装置执行的等离子体处理方法包括第一工序、第二工序和蚀刻工序。等离子体处理装置在第一工序中，在形成有具有规定图案的多个开口部的处理对象形成第一膜。等离子体处理装置在第二工序中，在形成有第一膜的处理对象形成蚀刻速率比第一膜低的第二膜，该第二膜根据开口部的尺寸而在开口部的侧面的膜厚不同。等离子体处理装置在蚀刻工序中，在规定的处理条件下从第二膜之上进行蚀刻，直至在处理对象的至少一部分第一膜的一部分被除去为止。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体处理装置 蚀刻 处理对象 开口部 等离子体处理 最小线宽 均匀性 速率比 膜厚 图案 侧面 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理方法，其特征在于，包括：/n第一工序，其在形成有具有规定图案的多个开口部的处理对象形成第一膜；/n第二工序，其在形成有所述第一膜的所述处理对象形成蚀刻速率比所述第一膜低的第二膜，所述第二膜根据开口部的尺寸而开口部的侧面的膜厚不同；和/n蚀刻工序，其在规定的处理条件下从所述第二膜之上进行蚀刻，直至在所述处理对象的至少一部分所述第一膜的一部分被除去为止。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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