[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201910671041.6 | 申请日： | 2019-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN112309856B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8234;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海德禾翰通律师事务所 31319 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 300385*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件制造领域，公开了一种半导体机构的形成方法，包括：提供鳍部以及横跨鳍部设置的栅极结构；形成覆盖栅极结构的图形化层，图形化层沿鳍部的延伸方向的中央具有心轴区；在未被栅极结构覆盖的鳍部的两侧形成具有第一深度的第一开口部；去除心轴区的图形化层，并以图形化层为掩膜，刻蚀栅极结构和鳍部，在鳍部的中央形成具有第二深度的第二开口部；在第一开口部和第二开口部内形成外延层。本发明提供的半导体结构的形成方法，能够增大沟道应力、抑制短沟道效应，提高半导体结构的综合性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
