[发明专利]半导体装置结构在审
| 申请号： | 201910671073.6 | 申请日： | 2019-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN112289844A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 李建兴;黄晔仁;林文新;邱俊榕 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王天尧;任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体装置结构。上述半导体装置结构包含半导体基底及设置于半导体基底内的第一阱，第一阱具有第一导电型态。上述半导体装置结构亦包含第一掺杂区，其镶入于第一阱内，具有与第一导电型态不同的第二导电型态。上述半导体装置结构更包含第二阱，其具有第二导电型态。此外，上述半导体装置结构包含第一金属电极及第二金属电极，第一金属电极设置于半导体基底的第一掺杂区上。第二金属电极设置于半导体基底的第二阱上。本发明提供了一种半导体装置结构，在电连接至高压端的区域设置阱取代浓度较大的掺杂区，能提升半导体装置结构作为静电保护装置的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 结构 | ||
【主权项】：
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