[发明专利]一种N型晶体硅电池的制备方法在审
| 申请号： | 201910671184.7 | 申请日： | 2019-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN110571302A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 杨智;魏青竹;倪志春 | 申请（专利权）人： | 苏州腾晖光伏技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 32103 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李萍 |
| 地址： | 215542 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种N型晶体硅电池的制备方法，解决了N型晶体硅背面载流子选择性结构电池的漏电问题。其依次包括如下步骤：A、对制绒后的N型晶体硅片进行单面硼掺杂；B、将硼掺杂后的N型晶体硅片的硼掺杂面向上，以漂浮的方式放入第一溶液中处理；C、在N型晶体硅片的另一面生长氧化物薄层；D、在氧化物薄层上沉积多晶硅层，并掺杂磷元素；E、将N型晶体硅片上的磷掺杂面向上，以漂浮的方式放入第二溶液中处理；F、将经第二溶液处理后的N型晶体硅片放入碱性溶液中处理；G、将N型晶体硅片的表面上的磷硅玻璃和硼硅玻璃去除；H、将N型晶体硅片的表面氧化；I、在N型晶体硅片上沉积钝化减反射层及钝化层；J、进行金属化工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 硼掺杂 放入 薄层 沉积 漂浮 载流子选择性 金属化工艺 生长氧化物 表面氧化 多晶硅层 碱性溶液 减反射层 结构电池 磷硅玻璃 漏电问题 硼硅玻璃 溶液处理 钝化层 磷掺杂 磷元素 氧化物 钝化 去除 制备 制绒 背面 掺杂 电池 | ||
【主权项】：
1.一种N型晶体硅电池的制备方法，其特征在于，依次包括如下步骤：/nA、对制绒后的N型晶体硅片进行单面硼掺杂；/nB、将硼掺杂后的N型晶体硅片的硼掺杂面向上，以漂浮的方式放入第一溶液中处理，所述第一溶液包括HF、HNO
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
