[发明专利]一种P型晶体硅电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种P型晶体硅电池的制备方法，解决了P型晶体硅背面载流子选择性结构电池的漏电问题。其依次包括如下步骤：A、对制绒后的P型晶体硅片进行背面刻蚀或抛光；B、在P型晶体硅片的背面生长氧化物薄层；C、在氧化物薄层上沉积多晶硅层；D、利用离子注入技术对P型晶体硅片背面进行III族元素掺杂；E、将P型晶体硅片上的III族元素掺杂面向上，以漂浮的方式放入第一溶液中处理，所述第一溶液包括HF、HNO3、H2SO4中的至少一种；F、利用离子注入技术对P型晶体硅片正面进行磷掺杂；G、对离子注入后的P型晶体硅片进行清洗；H、对P型晶体硅片进行退火；I、对P型晶体硅片进行清洗。

主权项

1.一种P型晶体硅电池的制备方法，其特征在于，依次包括如下步骤：/nA、对制绒后的P型晶体硅片进行背面刻蚀或抛光，保留正面的绒面；/nB、在P型晶体硅片的背面生长氧化物薄层；/nC、在氧化物薄层上沉积多晶硅层；/nD、利用离子注入技术对P型晶体硅片背面进行III族元素掺杂；/nE、将P型晶体硅片上的III族元素掺杂面向上，以漂浮的方式放入溶液中处理，所述溶液包括HF、HNO