[发明专利]半导体元件的制造方法在审
| 申请号： | 201910671535.4 | 申请日： | 2019-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN111128733A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 赖柏宇;李凯璿;李威养;杨丰诚;陈燕铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体元件的制造方法包括以下步骤。在半导体基板上方形成栅极堆叠。在栅极堆叠的侧壁上形成第一间隔层。在第一间隔层上方形成牺牲间隔膜。在半导体基板上形成磊晶结构。在牺牲间隔膜上执行蚀刻制程以在第一间隔层与磊晶结构之间形成间隙。牺牲间隔膜的外部具有与在执行蚀刻制程之后牺牲间隔膜的内部相比较高的最顶端。方法进一步包括形成第二间隔层以密封在磊晶结构与第一间隔层之间的间隙。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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